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NTZD3154N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
200
T J = 25 ° C
5
Q T
20
150
100
C RSS
V GS = 0 V
C ISS
4
3
2
V DS
V GS
16
12
8
50
Q GS
Q GD
0
5
V DS = 0 V
V GS
0
V DS
5
C OSS
10
15
20
1
0
0
0.2
I D = 0.54 A
T J = 25 ° C
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
0
1.6
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 0.2 A
V GS = 4.5 V
t d(OFF
0.6
0.5
0.4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t f
)
t d(ON)
0.3
t r
0.2
0.1
1
1
10
100
0
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
ORDERING INFORMATION
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
NTZD3154NT1G
NTZD3154NT1H
NTZD3154NT2G
NTZD3154NT2H
NTZD3154NT5G
NTZD3154NT5H
Device
Package
SOT ? 563
(Pb ? Free)
Shipping
4000 / Tape & Reel
8000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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